在半導體行業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，寧波丞達精機股份有限公司不斷書寫著創(chuàng)新的篇章。近日，公司在技術合作與核心產品研發(fā)領域取得重大突破，引領行業(yè)創(chuàng)新方向，贏得矚目。
寧波丞達精機股份有限公司與中國科學院寧波材料技術與工程研究所簽約，聯合成立了“半導體基體材料先進激光加工技術聯合實驗室”，雙方開展深度合作。依托寧波材料所李琳院士領銜的激光極端制造研究中心及其高端人才、技術優(yōu)勢，聯合丞達精機，雙方將圍繞集成電路制造中的晶圓加工領域協(xié)同攻關，共同打造全球領先的先進激光加工創(chuàng)新研發(fā)平臺。雙方攜手旨在攻克半導體基體材料核心加工工藝及裝備難題，實現相關技術的產業(yè)化及推廣應用，為我國半導體產業(yè)提升自主可控能力注入強勁動力。
圖1半導體基體材料先進激光加工技術聯合實驗室
此外，寧波丞達精機股份有限公司與大連理工大學康仁科教授團隊聯合攻關的超精密研磨減薄機也成果斐然。作為半導體制造過程中的關鍵工藝裝備，該設備主要應用于晶圓襯底材料研磨減薄以及封測階段晶圓的背面減薄。它通過對晶圓進行高精度、低損傷的超精密減薄，實現晶圓厚度與平整度的精確控制，有效滿足先進封裝對超薄晶圓的嚴苛要求。在當前國內晶圓背面減薄機市場主要被日本等國外企業(yè)壟斷的情況下，丞達精機與康仁科教授團隊合作研發(fā)的超精密晶圓磨削系統(tǒng)穩(wěn)定實現了 12英寸硅晶圓磨削后 TTV＜1μm，表面粗糙度＜5nm，8 英寸碳化硅襯底磨削后 TTV＜2μm，表面粗糙度＜5nm 的技術目標，設備性能達到國內領先和國際先進水平，為國產半導體設備在該領域爭得一席之地。
圖2 四種型號高精密晶圓研磨減薄機
值得一提的是，丞達精機憑借深厚的技術沉淀和高水平的合作團隊，已成為中國唯一同時掌握激光改質、剝離和研磨核心技術及裝備能力的公司。其研發(fā)的 “碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)” 更是展現出了強大的整機加工能力。大量實驗驗證表明，該系統(tǒng)相較于傳統(tǒng)線切割技術，在切割效率和材料損耗方面具有壓倒性優(yōu)勢。在切割效率上，晶錠切割時間大幅縮短，僅為傳統(tǒng)線切割的 20% 左右，目前 8 英寸碳化硅晶錠剝離速度已能控制在每片20分鐘以內；材料損耗方面，損耗層厚度小于80μm，1mm 晶錠出片率大于 2.1 片。該系統(tǒng)可適配不同厚度和尺寸的SiC襯底材料，集成晶錠表面研磨減薄、激光改質以及晶圓薄片完整剝離等全流程功能，實現自動化一體運作，極大地促進了碳化硅行業(yè)的降本增效。
圖3 碳化硅襯底激光剝離系統(tǒng)
圖4 剝離系統(tǒng)離散型方案（產能更優(yōu)）
圖5 剝離改質區(qū)域表面結構和形貌特征
公司始終秉持 “全鏈突圍、智破封鎖、鏈筑國芯” 的宏偉愿景，以 “突破國外技術封鎖，實現半導體設備國產化” 為使命擔當，憑借 “不畏艱難、勇攀高峰” 的創(chuàng)新精神，在半導體設備技術創(chuàng)新道路上砥礪前行。作為國家級高新技術企業(yè)，丞達精機深耕精密制造領域，建立了院士科技創(chuàng)新中心、博士科技工作站等科研機構，累計獲得 70 余項授權專利和 20 余項軟件著作權，多款自主研發(fā)的半導體超精密切磨拋工藝設備、光學鏡頭全工藝設備成功實現進口替代，市場占有率穩(wěn)居行業(yè)前列。未來，丞達精機將繼續(xù)依托產學研深度融合又是，持續(xù)在半導體設備領域攻堅克難，為推動我國半導體產業(yè)的發(fā)展貢獻更多力量，引領行業(yè)邁向新的高度！
